Pesquisadores da Universidade Lancaster, Reino Unido, anunciaram um progresso importante para trazer para o mercado a Memória universal UltraRAM. Ela promete combinar volatilidade de armazenamento de dados com velocidade e eficiência energética em uma peça única e ao contrário das tradicionais memórias de acesso aleatório (RAM e DRAM), não perde os dados na ausência de energia.
Com isso, o usuário poderia ter 1 TB ou 2 TB de UltraRAM, por exemplo, e todos os dados armazenados ali poderiam ser tratados dentro de parâmetros de transferência equivalentes aos das memórias RAM convencionais, ou seja, com velocidades maiores.Os estudos apontam que um módulo UltraRAM pode armazenar dados por mais de mil anos, mas há vários outros parâmetros que ainda precisam ser avaliados, como a confiabilidade da gravação de dados e o desempenho na leitura.
A equipe acredita poder resolver o paradoxo da memória universal explorando um efeito mecânico quântico chamado tunelamento ressonante, que permite que uma barreira mude de opaca para transparente aplicando uma pequena tensão elétrica.
O primeiro protótipo de uma memória universal explorando esse efeito foi apresentado pela equipe em 2019.
Agora, os pesquisadores integraram células da memória para criar conjuntos de 4 bits, o que permitiu aferir experimentalmente a nova arquitetura da forma que ela deverá operar em eventuais futuros chips de memória. Com os bons resultados, a equipe batizou a tecnologia de ULTRARAM – o nome não é uma sigla e nem se refere a eventuais vantagens de desempenho, sendo apenas uma marca comercial registrada pela universidade.
A equipe também otimizou o projeto da memória para tirar o máximo proveito da física do tunelamento ressonante, fabricando componentes que são 2.000 vezes mais rápidos do que os primeiros protótipos e com uma resistência ao ciclo de programar/apagar que é cerca de 10 vezes melhor do que as memórias Flash. É um bom resultado, mas que mostra que ainda há um bom caminho a ser percorrido até que a memória universal possa competir com as atuais DRAM.
Artigo: ULTRARAM: Toward the Development of a III-V Semiconductor, Nonvolatile, Random Access Memory Autores: D. Lane, P. D. Hodgson, R. J. Potter, R. Beanland, M. Hayne Revista: IEEE Transactions on Electron Devices DOI: 10.1109/TED.2021.3064788