Pesquisadores da Universidade Lancaster, Reino Unido, anunciaram um progresso importante para trazer para o mercado a Memória universal UltraRAM. Ela promete combinar volatilidade de armazenamento de dados com velocidade e eficiência energética em uma peça única e ao contrário das tradicionais memórias de acesso aleatório (RAM e DRAM), não perde os dados na ausência de energia.
[Imagem: D. Lane et al. – 10.1109/TED.2021.3064788]
Os estudos apontam que um módulo UltraRAM pode armazenar dados por mais de mil anos, mas há vários outros parâmetros que ainda precisam ser avaliados, como a confiabilidade da gravação de dados e o desempenho na leitura.
A equipe acredita poder resolver o paradoxo da memória universal explorando um efeito mecânico quântico chamado tunelamento ressonante, que permite que uma barreira mude de opaca para transparente aplicando uma pequena tensão elétrica.
O primeiro protótipo de uma memória universal explorando esse efeito foi apresentado pela equipe em 2019.
Agora, os pesquisadores integraram células da memória para criar conjuntos de 4 bits, o que permitiu aferir experimentalmente a nova arquitetura da forma que ela deverá operar em eventuais futuros chips de memória. Com os bons resultados, a equipe batizou a tecnologia de ULTRARAM – o nome não é uma sigla e nem se refere a eventuais vantagens de desempenho, sendo apenas uma marca comercial registrada pela universidade.
A equipe também otimizou o projeto da memória para tirar o máximo proveito da física do tunelamento ressonante, fabricando componentes que são 2.000 vezes mais rápidos do que os primeiros protótipos e com uma resistência ao ciclo de programar/apagar que é cerca de 10 vezes melhor do que as memórias Flash. É um bom resultado, mas que mostra que ainda há um bom caminho a ser percorrido até que a memória universal possa competir com as atuais DRAM.
Artigo: ULTRARAM: Toward the Development of a III-V Semiconductor, Nonvolatile, Random Access Memory Autores: D. Lane, P. D. Hodgson, R. J. Potter, R. Beanland, M. Hayne Revista: IEEE Transactions on Electron Devices DOI: 10.1109/TED.2021.3064788
